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FQT3P20TF中文资料

FQT3P20TF图片

FQT3P20TF外观图

  • 大小：1425KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：670mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.7 欧姆 @ 335mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：250pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223-4
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FQT3P20TF-NDFQT3P20TFTR

FQT3P20TF供应商

更新时间:2023-03-02 09:35:01
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